Las principales diferencias entre las obleas de silicio monocristalino tipo N y tipo P para energía solar fotovoltaica
Las principales diferencias entre las obleas de silicio monocristalino tipo N y tipo P para energía solar fotovoltaica
Las obleas de silicio monocristalino tienen las propiedades físicas de los cuasi metales, con una conductividad débil y su conductividad aumenta al aumentar la temperatura. También tienen importantes propiedades semiconductoras. Al dopar obleas de silicio monocristalino ultrapuro con pequeñas cantidades de boro, se puede aumentar la conductividad para formar un semiconductor de silicio tipo P. De manera similar, el dopaje con pequeñas cantidades de fósforo o arsénico también puede aumentar la conductividad, formando un semiconductor de silicio tipo N. Entonces, ¿cuáles son las diferencias entre las obleas de silicio tipo P y tipo N?
Las principales diferencias entre las obleas de silicio monocristalino tipo P y tipo N son las siguientes:
Dopante: En el silicio monocristalino, el dopado con fósforo lo convierte en tipo N y el dopaje con boro lo convierte en tipo P.
Conductividad: el tipo N es conductor de electrones y el tipo P es conductor de huecos.
Rendimiento: cuanto más fósforo esté dopado en tipo N, más electrones libres habrá, más fuerte será la conductividad y menor será la resistividad. Cuanto más boro se dopa en el tipo P, más agujeros se generan al reemplazar el silicio, más fuerte es la conductividad y menor es la resistividad.
Actualmente, las obleas de silicio tipo P son los productos principales de la industria fotovoltaica. Las obleas de silicio tipo P son sencillas de fabricar y tienen bajos costes. Las obleas de silicio tipo N suelen tener una vida útil más larga de los portadores minoritarios y la eficiencia de las células solares puede aumentar, pero el proceso es más complicado. Las obleas de silicio tipo N están dopadas con fósforo, que tiene poca solubilidad con el silicio. Durante la extracción de varillas, el fósforo no se distribuye uniformemente. Las obleas de silicio tipo P están dopadas con boro, que tiene un coeficiente de segregación similar al del silicio, y la uniformidad de la dispersión es fácil de controlar.